半導(dǎo)體存儲器用途

主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。

半導(dǎo)體存儲器的

半導(dǎo)體存儲器按功能分類

按其功能可分為：隨機(jī)存取存儲器(簡稱RAM)和只讀存儲器(只讀ROM)

RAM包括DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)，當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分)，SRAM主要用于高速緩存存儲器。

ROM 主要用于BIOS存儲器。

半導(dǎo)體存儲器按其制造工藝

可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。

半導(dǎo)體存儲器按其存儲原理

可分為：靜態(tài)和動態(tài)兩種。

其半導(dǎo)體存儲器優(yōu)點(diǎn)是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路接口容易。

半導(dǎo)體存儲器技術(shù)指標(biāo)

主要有：

1. 存儲容量：存儲單元個數(shù)M×每單元位數(shù)N

2. 存取時間：從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間

3. 存取周期：兩次獨(dú)立的存儲器操作所需間隔的最小時間

4. 平均故障間隔時間MTBF(可靠性)

5. 功耗：動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗